大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于resistive的问题，于是小编就整理了3个相关介绍resistive的解答，让我们一起看看吧。
阻变存储器和忆阻器的区别？
阻变存储器（Resistive Random Access Memory，简称RRAM）和忆阻器（Memristor）是两种不同的存储器技术。
1. 原理：阻变存储器是一种基于电阻状态的存储器技术，通过改变材料的电阻值来存储信息；而忆阻器则是一种基于电流-电压特性的存储器技术，通过改变材料中的内部电阻来存储信息。
2. 结构：阻变存储器通常由两个电极和一个电阻变化材料层组成，其中电阻变化材料层可以是氧化物、硫化物等；而忆阻器则由一个电极和一个忆阻器材料组成，忆阻器材料通常是一种多层金属氧化物。
3. 电性能：阻变存储器具有较大的电阻突变效应和较快的响应速度，可实现低功耗、高速度、高密度的存储；而忆阻器具有记忆特性，可以在断电后保持存储的状态，具有非易失性。
4. 应用：阻变存储器广泛应用于非易失性存储器、机器学习、神经网络等领域；而忆阻器目前仍处于研究阶段，尚未大规模应用。
阻变存储器和忆阻器在器件结构、工作原理、应用场景等方面存在明显的区别。
器件结构：阻变存储器是一种具有稳定电阻状态的器件，而忆阻器则是一种具有多个电阻状态的器件。
工作原理：阻变存储器利用物质阻变性质的改变来实现存储，而忆阻器则利用氧离子的浓度变化控制电阻值的变化。
应用场景：阻变存储器主要应用于存储器、处理器等传统计算机领域和人工智能、语音识别、自动驾驶等新兴领域，而忆阻器主要应用于物联网、嵌入式系统等领域。
其他方面的比较：忆阻器具有很快的读写速度和低功耗、长寿命等特点，而阻变存储器具有存储密度高、易设计、抗辐射等特点。
总之，阻变存储器和忆阻器在多个方面存在明显的区别，这些区别使得它们在具体的应用场景中具有不同的优势和特点。
物理版：电阻突变的特性叫阻变存储器，电阻缓变的特性叫忆阻器。
材料版：CMOS兼容的材料叫阻变存储器，各种乱七八糟的材料都叫忆阻器。
电路版：做成随机访问的交叉阵列叫阻变存储器，做成各种乱七八糟的结构叫忆阻器。
半导体中的RRC是指什么材料？
在半导体材料中，RRC是指“Resistive Random Access Memory Cells”，即电阻式随机存取器单元。这种材料可用于电子存储器中，它能够存储和检索数字信息，具有高密度、高速度、低功耗、可擦写和可重写等优点。
RRC材料包括氧化物，硅化物和金属材料等多种类型。例如，爪哇岛和二氧化锆是常见的氧化物材料，铜是一种金属材料。目前，研究人员正在努力开发更高性能的RRC材料，以满足日益增长的储存需求。
gmr是什么意思？
GMR是巨磁阻又称特大磁电阻，由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。
当磁性材料处于一个外部磁场中时，如果磁场的方向和磁性材料中电流的方向不同，那么该磁性材料的电阻会随着施加于它的磁场的强度而变化，是说一个有磁性的材料处于一个外部磁场内则当磁场内的磁力方向和材料本身电流方向不同时，材料的电阻会发生变化，变化的大小和磁场的磁力的强度成正比例
到此，以上就是小编对于resistive的问题就介绍到这了，希望介绍关于resistive的3点解答对大家有用。
